中的金属电阻率和不同的传导机制外，对金属纳米线中电子特性的有趣的研究是双隧道结，它是通过在纳米线上短时间施加电压脉冲而形成的。对于在硅胶中生长的银纳米线，可以看到，持续时间为5s的0.6V脉冲，样品的电阻显示出急剧增加，表明金属细丝破裂。

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